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浅谈焊盘上是否可以打孔及打孔的注意事项

? 2019-04-24 14:53 ? 次阅读

一、MOSFET等大型焊盘的背面可以打过孔

标签:凤歌鸾舞 4kag 澳门银河4936.us

首先一种情况是焊盘上需要过孔,例如:

我们为了改善MOSFET的散热,在MOSFET的焊盘上打过孔。

注意:在这里大焊盘的过孔处理时,我们需要均匀布孔,保证焊盘是均匀受热的。

浅谈焊盘上是否可以打孔及打孔的注意事项

二、一些小封装的电阻电容,不要把过孔打在焊盘上

一般标贴的电阻电容,防止立碑,我们需要做开窗处理。

“立碑”现象常发生在CHIP元件(如贴片电容和贴片电阻)的回流焊接过程中,元件体积越小越容易发生。特别是1005或更小钓0603贴片元件生产中,很难消除“立碑”现象。在表面贴装工艺的回流焊接过程中,贴片元件会产生因翘立而脱焊的缺陷,如图4,人们形象地称之为“立碑”现象(也有人称之为“曼哈顿”现象)。

“立碑”现象的产生是由于元件两端焊盘上的焊膏在回流熔化时,元件两个焊端的表面张力不平衡,张力较大的一端拉着元件沿其底部旋转而致。造成张力不平衡的因素也很多。

浅谈焊盘上是否可以打孔及打孔的注意事项

所以一般我们会对铺铜的管脚做,开窗处理,防止立碑现象;同理,我们不能把过孔打在SMT焊盘上,防止元件两个韩端的表面张力不平衡。

浅谈焊盘上是否可以打孔及打孔的注意事项

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发表于 2019-04-24 14:45 ? 2092次阅读
利用900V MOSFET管提升反激式转换器的输...

900VMDmesh? K5超结MOSFET管满...

新品登场

发表于 2019-04-24 17:53 ? 1593次阅读
900VMDmesh? K5超结MOSFET管满...

MOSFET知识点全集,初级工程师学习利器

MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同,可分为“N型”与“P型” 的两种类型,通常又称为...

发表于 2019-04-24 14:45 ? 4628次阅读
MOSFET知识点全集,初级工程师学习利器

快速60V高压侧N沟道MOSFET驱动器提供10...

加利福尼亚州米尔皮塔斯 (MILPITAS, CA) 和马萨诸塞州诺伍德 (NORWOOD, MA)...

发表于 2019-04-24 09:36 ? 275次阅读
快速60V高压侧N沟道MOSFET驱动器提供10...

功率半导体封测厂主攻MOSFET,有望新突破

捷敏2017年第2季获利已经创下历史次高,上半年EPS为2.39元,7月营收也下营收新高水准,市场看...

发表于 2019-04-24 06:38 ? 848次阅读
功率半导体封测厂主攻MOSFET,有望新突破

Mosfet驱动电路开发进阶之路

常见的MOS管驱动方式有非隔离的直接驱动、自举驱动,和有隔离的变压器驱动、光耦隔离驱动等。

发表于 2019-04-24 15:20 ? 2946次阅读
Mosfet驱动电路开发进阶之路

FPC电路设计中的常见问题

焊盘(除表面贴焊盘外)的重叠,意味孔的重叠,在钻孔工序会因为在一处多次钻孔导致断钻头,导致孔的损伤。

发表于 2019-04-24 14:41 ? 570次阅读
FPC电路设计中的常见问题

内存、MOSFET大缺货开始影响下游系统厂

第3季进入传统电子产品销售旺季,但今年受到DRAM、NAND/NOR Flash缺货冲击,加上金氧半...

发表于 2019-04-24 09:11 ? 607次阅读
内存、MOSFET大缺货开始影响下游系统厂

场效应管(MOSFET)检测方法与经验

根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。

发表于 2019-04-24 10:37 ? 642次阅读
场效应管(MOSFET)检测方法与经验

Allegro MicroSystems, LL...

美国马萨诸塞州伍斯特市 – Allegro MicroSystems,LLC宣布推出两款全新N沟道功...

发表于 2019-04-24 18:37 ? 489次阅读
Allegro MicroSystems, LL...

基于MOSFET控制的大范围连续可调(0~45V...

功率场效应管MOSFET是一种单极型电压控制器件,它不但具有自关断能力,而且具有驱动功率小,关断速度...

发表于 2019-04-24 14:01 ? 4663次阅读
基于MOSFET控制的大范围连续可调(0~45V...

自我保护型 MOSFET 可在汽车应用的严苛环境...

以前曾多次提及,汽车电子环境非常严苛!如图 1 所示,由于负载瞬态和感应场衰变,汽车的额定电池电压可...

发表于 2019-04-24 15:38 ? 539次阅读
自我保护型 MOSFET 可在汽车应用的严苛环境...

快速 60V 保护的高压侧 N 沟道 MOSF...

加利福尼亚州米尔皮塔斯 (MILPITAS, CA) 和马萨诸塞州诺伍德 (NORWOOD, MA)...

发表于 2019-04-24 16:08 ? 317次阅读
快速 60V 保护的高压侧 N 沟道  MOSF...

快速 150V 高压侧 N 沟道 MOSFET ...

加利福尼亚州米尔皮塔斯 (MILPITAS, CA) 和马萨诸塞州诺伍德 (NORWOOD, MA)...

发表于 2019-04-24 15:00 ? 198次阅读
快速 150V 高压侧 N 沟道 MOSFET ...

高能效创新:带给您非凡力量

安森美半导体近期完成了收购,在成为全球领先的完备功率解决方案的征程中迈出了重要一步。安森美半导体通过...

发表于 2019-04-24 17:01 ? 279次阅读
高能效创新:带给您非凡力量

美高森美和Analog Devices公司在可扩...

致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差异化半导体技术方案的领先供应商美高森美公司(Microse...

发表于 2019-04-24 14:33 ? 341次阅读
美高森美和Analog Devices公司在可扩...

用GaN重新考虑功率密度

电力电子世界在1959年取得突破,当时Dawon Kahng和Martin Atalla在贝尔实验室...

发表于 2019-04-24 15:57 ? 373次阅读
用GaN重新考虑功率密度

对更高功率密度的需求推动电动工具创新解决方案

电动工具中直流电机的优先配置已从有刷直流大幅转向更可靠、更有效的无刷直流(BLDC)解决方案。典型的...

发表于 2019-04-24 18:51 ? 256次阅读
对更高功率密度的需求推动电动工具创新解决方案

Power Integrations推出紧凑、高...

美国加利福尼亚州圣何塞,2019-04-24 – 中高压逆变器应用领域IGBT和MOSFET驱动器技...

发表于 2019-04-24 15:45 ? 262次阅读
Power Integrations推出紧凑、高...

Vishay公布2017年新“Super 12”...

宾夕法尼亚、MALVERN — 2017 年 5 月5 日 — 日前,Vishay Intertec...

发表于 2019-04-24 09:51 ? 405次阅读
Vishay公布2017年新“Super 12”...